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任职期间曾参与研发工作 中芯国际公告一名核心技术人员离职消息

中芯国际发布公告表示,公司核心技术人员吴金刚博士因个人原因申请辞去相关职务并办理完成离职手续。离职后,吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行,吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。

吴金刚博士现年 53 岁,1988 年获得华中工学院 (现华中科技大学) 理学学士学位,1995 年获得中国科学院兰州化学物理研究所物理化学博士学位。吴金刚于 2001 年加入中芯国际,之后的 13 年间担任助理总监、总监、 资深总监职务,于 2014 年至今升至技术研发副总裁,任职期间负责参与该公司 FinFET 先进工艺技术研发及管理工作。

公告称,吴金刚博士在公司任职期间参与了公司的研发工作,期间参与申请的专利均非单一发明人的专利且均为职务发明创造。前述专利所有权均属于公司,不存在涉及专利的纠纷或潜在纠纷,其离职不影响公司专利权的完整。

据了解,中芯国际已经完成了 14nm 工艺 1.5 万片晶圆/月的产能建设目标,接下来的重点是 N+1、N+2 代工艺。具体的工艺节点虽然官方一直未曾透露,但行业内预计是 10nm、8nm 以及 7nm 工艺。

标签: 中芯国际

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