可兼容RAM与ROM并提升效率科学家展示制造FE-FET器件新方法

来源：中关村在线　2021-07-06 08:49:29

芯研所消息，一个长期以来被寄予厚望的进展是铁电场效应晶体管(FE-FET)。这类设备可以快速切换状态，足以进行计算，但也能够在不通电的情况下保持这些状态，使它们能够作为长期存储器存储。作为 RAM 和 ROM 的双重职责，FE-FET 器件将使芯片的空间效率更高，功能更强。

而制造实用 FE-FET 器件存在诸多障碍，首先由于铁电材料的高温要求，这种最能显示必要的铁电效应的材料与大规模生产硅元件的技术不兼容。现在，宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的一个研究小组已经展示了一个解决这个问题的潜在方法。

在研究中，他们证明了钪掺杂的氮化铝(AlScN)，一种被发现表现出铁电的材料，可以被用来制造 FE-FET 以及具有商业可行的二极管-记忆体类型的存储器件。

这些研究由电气和系统工程(ESE)专业的助理教授 Deep Jariwala 和他实验室的研究生刘曦文(Xiwen Liu，音译)带领。他们与宾夕法尼亚州工程学院的同事 Troy Olsson(也是 ESE 的助理教授)和 Eric Stach(材料科学与工程系教授兼物质结构研究实验室主任)进行了合作。他们在《Nano Letters》和《Applied Physics Letters》上发表了这些结果。

(作者：曲楠责编：Martin)

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