三星第八代V-NAND闪存有望突破200层 预计将于明年下半年量产

自从闪存进入3D时代，堆栈层数越来越高。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层，未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张，NAND闪存本身也是牛市周期，三星准备借此机会扩大生产规模。

在闪存技术上，三星的128层V-NAND闪存已经量产，2021年下半年则会量产第7代V-NAND闪存，堆栈层数提升到176层。

三星实际上已经落后于美光，后者在去年底就推出了176层3D闪存，并且量产了，三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND闪存，堆栈层数有望超过200层，不过三星没公布具体情况，预计要到明年下半年才有可能量产。

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