三星第八代V-NAND闪存有望突破200层 预计将于明年下半年量产

自从闪存进入3D时代,堆栈层数越来越高。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模。

在闪存技术上,三星的128层V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量产第7代V-NAND闪存,堆栈层数提升到176层。

三星实际上已经落后于美光,后者在去年底就推出了176层3D闪存,并且量产了,三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND闪存,堆栈层数有望超过200层,不过三星没公布具体情况,预计要到明年下半年才有可能量产。

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