可达成TB级带宽加速器要求 Rambus HBM2E内存接口子系统发布

来源：中关村在线　2021-05-28 15:21:42

芯片和IP核供应商Rambus推出了Rambus HBM2E内存接口子系统，该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器，在三星14/11nm FinFET工艺上经过硅验证。

通过利用30多年的信号完整专业知识，Rambus解决方案的运行速度打到3.2Gbps，可提供410GB/s的带宽。满足了TB级带宽加速器的需求，此类加速器针对要求最为严苛的AI/ML训练和高能计算应用。

三星电子设计开发副总裁Jongshin Shin说：“我们与Rambus的合作将业界领先的内存接口设计专业知识与三星最尖端的工艺和封装技术结合在一起。AI和HPC系统的设计人员可以使用HBM2E内存实现设计，利用三星先进的14/11nm工艺，以达到无与伦比的水准。”

完全集成的，可投入生产的Rambus HBM2E内存子系统以3.2 Gbps的速度运行，为设计人员实现上提供了很大的裕量空间。Rambus和三星合作，通过利用三星的14/11nm工艺和先进的封装技术对HBM2E PHY和内存控制器IP核进行硅验证。

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