Intel刚刚发布了Ice Lake-SP单/双路型第三代可扩展至强,首次上10nm工艺,首次支持PCIe 4.0(64条通道),升级到八通道DDR4-3200,最多40个核心,强化AVX-512等指令集和AI加速。
而接下来的Sapphire Rapids第四代可扩展至强也不远了。
现在外媒曝光了一张路线图,进一步实锤了Sapphire Rapids的各种规格参数。
有趣的是这张图上Ice Lake的发布时间还是早先定下的2020年,结果一直跳票到现在,不知道这会对Sapphire Rapids的发布造成什么影响。
Sapphire Rapids将使用10nm SuperFin增强型工艺制造,最多56核心112线程(据说物理芯片其实60个核心但至少初期无法全部开启),热设计功耗上限从270W提高到350W(据说还能解锁400W)。
内存首发支持DDR5,频率4800MHz,继续八通道,同时首次集成HBM2e高带宽内存,每路64GB,带宽达1TB/s。
连接首发支持PCIe 5.0,通道数量也增加至80条,也继续提供PCIe 4.0 x2,同时多路互连通道升级为最多四条UPI 2.0总线,带宽也继续提高到16GT/s。